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MJE4353G中文资料

MJE4353G图片

MJE4353G外观图

  • 大小:142.2KB
  • 厂家:ON Semiconductor
  • 描述: TRANSISTOR, PNP, TO-218; Transistor Polarity:PNP; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:160V; Power Dissipation Pd:125W; DC Collector Current:16A; DC Current Gain hFE:1; Transistor Case Style:SOT-93; No. of Pins:3; SVHC:No SVHC (15-Dec-2010); Continuous Collector Current Ic Max:16A; Current Ic Continuous a Max:16A; Current Ic hFE:8A; Full Power Rating Temperature:25°C; Gain Bandwidth ft Min:1MHz; Gain Bandwidth ft Typ:1MHz; Hfe Min:15; No. of Transistors:1; Package / Case:SOT-93; Power Dissipation Pd:125W; Power Dissipation Ptot Max:125W; Termination Type:Through Hole; Transistor Type:; Voltage V...
  • 标准包装:30
  • 类别:分离式半导体产品
  • 家庭:晶体管(BJT) - 单路
  • 系列:-
  • 晶体管类型:PNP
  • 电流 - 集电极 (Ic)(最大):16A
  • 电压 - 集电极发射极击穿(最大):160V
  • Ib、Ic条件下的Vce饱和度(最大):3.5V @ 2A,16A
  • 电流 - 集电极截止(最大):750µA
  • 在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE):15 @ 8A,2V
  • 功率 - 最大:125W
  • 频率 - 转换:1MHz
  • 安装类型:通孔
  • 封装/外壳:TO-218-3
  • 供应商设备封装:SOT-93
  • 包装:管件
  • 其它名称:MJE4353GOS

MJE4353G供应商

更新时间:2023-01-06 00:27:27
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